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科学 / fermi-surface

费米面

费米面是动量空间中的边界,决定金属或其他费米子系统低能电子态的组织方式。

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费米面是动量空间中的一组点,在这些点上,相对于化学势而言,添加或移除一个粒子所需的能量为零。对于处于绝对零度的无相互作用费米子,费米面将已占据与未占据的单粒子态分隔开来。在凝聚态物理学中,费米面的形状和大小是理解金属中电子低能行为的关键。它并不是材料内部的实体表面,而是以动量为标记的空间中的边界。(damtp.cam.ac.uk)

定义与占据情况

对于能带能量为 εn(k)\varepsilon_n(\mathbf{k}) 的无相互作用系统,费米面定义为

εn(k)=μ0,\varepsilon_n(\mathbf{k})=\mu_0,

其中,nn 是能带标号,k\mathbf{k} 是波矢,μ0\mu_0 是零温化学势,通常将其等同于费米能 EFE_F。费米—狄拉克统计给出的分布为

f(ε)=1exp⁡[(ε−μ)/(kBT)]+1f(\varepsilon)= \frac{1}{\exp[(\varepsilon-\mu)/(k_BT)]+1}

在零温下,这一分布变为阶跃函数:能量低于 μ0\mu_0 的态被占据,高于 μ0\mu_0 的态为空。这里,TT 为温度,kBk_B 为玻尔兹曼常数。这种填充方式源于泡利不相容原理。(damtp.cam.ac.uk)

被占据的区域称为费米海,费米面则是它的边界。在非零温度下,占据概率在宽度约为 kBTk_BT 的能量区间内平滑变化。不过,当热展宽较小时,用“费米面”来指称相应的等能面仍然有意义。(damtp.cam.ac.uk)

自由电子示例

对于质量为 mm 的非相对论性自由电子,

ε(k)=ℏ2∣k∣22m,\varepsilon(\mathbf{k})=\frac{\hbar^2|\mathbf{k}|^2}{2m},

其中,ℏ\hbar 为约化普朗克常数。被占据的态构成一个实心球,其边界是半径为 kFk_F 的球面。对于具有两个自旋态、电子数密度为 nen_e 的未极化三维电子气,

kF=(3π2ne)1/3,EF=ℏ2kF22m.k_F=(3\pi^2n_e)^{1/3}, \qquad E_F=\frac{\hbar^2k_F^2}{2m}.

相应的动量为 pF=ℏkFp_F=\hbar k_F。这些表达式通过计数可用的动量态得到,其中包含了自旋简并度。(damtp.cam.ac.uk)

更一般地,在 dd 维系统中,正则费米面的维数为 d−1d-1:在三维中是曲面,在二维中是等能线,在一维中则是孤立的费米点。特殊的能带接触情形可能产生维数更低的零能集合。(ocw.mit.edu)

晶体中的费米面

在晶体中,自由粒子的色散关系由电子能带结构取代。波矢用来标记晶体动量,相差一个倒易晶格矢量的波矢彼此等价。因此,费米面通常绘制在第一布里渊区内,并将相应的边界视为等同。图中看似分离的部分,可能跨越这些边界连接在一起。(davidtong.org)

晶体可以具有属于不同能带的多个费米面片。常见的几何形态包括近球形口袋、细长口袋、近似柱面的面片,以及穿越布里渊区边界的面片。电子口袋包围能带极小值附近的已占据态;空穴口袋包围能带极大值附近的未占据态,后者可以用电子空穴来描述。(davidtong.org)

在通常的能带理论中,部分填充且具有色散的能带一般会产生金属行为。如果化学势位于带隙内,就没有能带穿过化学势,也就不存在电子费米面。这描述的是能带绝缘体,但并未涵盖相互作用或特殊能带交叉可能带来的所有效应。(davidtong.org)

费米面为何决定低能行为

能量远低于费米能的电子难以跃迁到附近的态,因为这些态已经被占据。因此,低能激发涉及的是费米面附近的态。在常规金属状态下,这使得电子热容在足够低的温度下与温度成正比,而不像经典气体那样与温度无关。(damtp.cam.ac.uk)

对于能带或准粒子的色散关系,费米速度为

vF,n=1ℏ∇kεn(k)∣FS.\mathbf{v}_{F,n} =\left.\frac{1}{\hbar}\nabla_{\mathbf{k}} \varepsilon_n(\mathbf{k})\right|_{\mathrm{FS}}.

它垂直于正则等能面。速度、能带曲率和散射率的变化,共同影响电输运以及对磁场响应的方向差异。因此,费米面不仅反映载流子的数量,其局部几何形态也很重要。(ocw.mit.edu)

相互作用系统与卢廷格定理

对于独立粒子,已占据态与空态之间的边界是严格成立的,但相互作用会改变这一图景。在朗道费米液体理论中,低能激发是寿命很长的准粒子。在零温下,电子动量分布在费米面处仍然保留不连续跃变,但跃变幅度未必等于一。即使远离费米面的占据情况发生了重新分布,费米面仍可保持清晰的定义。(doi.org)

在1960年8月15日发表的一篇论文中,J. M. 卢廷格将这一不连续性与相互作用费米子的费米面联系起来,并确立了对其所包围动量空间体积的约束。在常规费米液体假设下,卢廷格定理将该体积与粒子密度联系起来:在密度固定时,相互作用可以改变费米面的形状,却不能任意改变其包围的体积。在晶体中,计数必须考虑已填满的能带和简并度。这一论断并非不受限制地适用于所有强相互作用相。(doi.org)

类似费米面的奇异性并不必然意味着存在常规准粒子。例如,具有相互作用的一维系统可以有明确定义的费米动量,但其低能激发是集体激发,而非朗道准粒子。(physics.aps.org)

拓扑与嵌套

随着控制参数变化,利夫希茨转变会改变费米面各部分的连通性或数量。例如,可能出现新的口袋,或原先分离的等能线连接起来。这类变化可以由化学势移动或能带色散关系改变引起。这里的拓扑学所涉及的是动量空间集合的连通性,不一定涉及电子波函数的拓扑分类。(arxiv.org)

当费米面上相当大的一部分能够通过同一个波矢 Q\mathbf{Q} 的平移而彼此重合时,就发生了**费米面嵌套**。它可以增强电子在该波矢处的响应。然而,仅凭几何上的嵌套,并不能确定电荷密度波是否出现,也不能确定其波矢:相互作用、电子—声子耦合以及完整的电子响应函数同样重要。(triqs.github.io)

实验测定

**角分辨光电子能谱学(ARPES)**测量受光照而逸出的电子的能量和发射方向。这些测量能够探测已占据态的电子谱函数,并识别化学势附近能带与化学势的交点。表面敏感性、光电子发射矩阵元,以及垂直于表面的动量分量的不确定性,都会使结果的解读变得复杂,对三维材料尤其如此。(arpes.stanford.edu)

**量子振荡**提供了一种互补的探测手段。在常规金属情形下,随着量子化的轨道能级穿过化学势,电子性质会随磁场倒数近似周期性地振荡。昂萨格关系将振荡频率 FF 与垂直于磁场的费米面极值截面积 AextA_{\mathrm{ext}} 联系起来:

F=ℏ2πeAext,F=\frac{\hbar}{2\pi e}A_{\mathrm{ext}},

其中,ee 是正值的元电荷。旋转磁场可以探测不同的截面,从而约束费米面的三维几何形态。磁化强度的振荡对应德哈斯—范阿尔芬效应,电阻的振荡对应舒布尼科夫—德哈斯效应。(davidtong.org)

实验测得的轮廓与理论费米面未必能不加限定地视为一致。热展宽、有限寿命、有限的分辨率,以及强烈依赖动量的谱权重,都可能使费米面的某些部分难以辨认。ARPES与量子振荡测量的是电子结构的不同方面,因此解读结果时需要采用相应的谱函数模型或轨道模型。(arpes.stanford.edu)

参考来源

  1. Solid State Physics — David Tongdavidtong.org
  2. 730 Physics for Solid State Applications, Lecture 21ocw.mit.edu
  3. Fermi Surface and Some Simple Equilibrium Properties of a System of Interacting Fermionsdoi.org
  4. Topological approach to Luttinger's theorem and the Fermi surface of a Kondo latticearxiv.org
  5. In a tight spot, spin and charge separatephysics.aps.org
  6. Tunable Fermi surface topology and Lifshitz transition in bilayer graphenearxiv.org
  7. Fermions on the square lattice & perfect nestingtriqs.github.io
  8. Fermi surface nesting and the origin of Charge Density Waves in metalsarxiv.org
  9. Angle-resolved Photoemission Spectroscopy — Shen Laboratoryarpes.stanford.edu
  10. Laser ARPES — Shen Laboratoryarpes.stanford.edu
  11. Fermi pockets and quantum oscillations of the Hall coefficient in high temperature superconductorsarxiv.org